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半导体器件静电放电模拟试验器

半导体器件静电放电模拟试验器 考查实际上给电子设备安装半导体元件时，半导体元件所受到的抗静电破坏能力的静电试验器。 半导体元件因受静电可能发生内部配线，绝缘膜的熔断，破坏等而导致产品特性裂化，误动作的现象。



对于此静电破坏试验，只需利用1 台弊司小型ESS-600X 更换探头就可简单实行人体带电型，机器带电型的试验。还有，可用选件中的精密型支架可对超细密间距元件做半自动的试验。
*适合用于进行LED,LCD, 光元件等电子部品的静电破坏耐性试验。
精密型支架

可做*高输出电压±8KV 试验（ESS-6008）
可做出留有余量的试验
可对各种间距的受测元件进行静电施加试验
可搭配精密测台，以半自动（Y 轴）的脚位移动而正确的对待
测物施加静电
可做*低试验电压±10V 的试验（ESS-6002）
对于低电压驱动元件的评价可从10V 开始以1V 的步长予施加
可对应规格 

ESS-6002/6008 半导体器件静电放电模拟试验器
 

 

特征考查实际上给电子设备安装半导体元件时，半导体元件所受到的抗静电破坏能力的静电试验器。
半导体元件因受静电可能发生内部配线，绝缘膜的熔断，破坏等而导致产品特性裂化，误动作的现象。
对于此静电破坏试验，只需利用1 台弊司小型ESS-600X 更换探头就可简单实行人体带电型，机器带电型的试验。还有，可用选件中的精密型支架可对超细密间距元件做半自动的试验。
*适合用于进行LED,LCD, 光元件等电子部品的静电破坏耐性试验。
精密型支架

  • 可做*高输出电压±8KV 试验（ESS-6008）
  • 可做出留有余量的试验
  • 可对各种间距的受测元件进行静电施加试验
  • 可搭配精密测台，以半自动（Y 轴）的脚位移动而正确的对待
  • 测物施加静电
  • 可做*低试验电压±10V 的试验（ESS-6002）
  • 对于低电压驱动元件的评价可从10V 开始以1V 的步长予施加
  • 可对应规格 

 

对应标准

人体模型试验 (HBM)机械模型试验 (MM)
AEC-Q100-002-Rev.D Jul.2003AEC-Q100-003-REV-E  Jul.2003
ESDA ANSI/EOS/ESD-STM5.1-2001ESDA ANSI/ESD STM5.2-1999
IEC 61340-3-1Ed.1.0 2002IEC 61340-3-2 Ed.1.0-2002
IEC 60749-26 Ed.1.0 2003IEC 60749-27 Ed.1.0 2003
JEDEC JESD22-A114E Jan 2007JEDEC JESD22-A115A Oct.1997
JEITA EIAJ ED-4701/300 Aug.2001 Test Method304JEITA EIAJ ED-4701/300 Aug.2001
MIL-STD-883G Method 3015.7 Mar.1989 

规格半导体器件静电放电模拟试验器 (ESS-6002/ESS-6008)


项目		功能/性能
ESS-6002ESS-6008
输出电压10～2000V±10％（ESS-6002） 1V步进100～8000V±10％（ESS-6008） 10V步进
输出极性正或负
重复周期0.3～99s±10％
到10s为止0.1s步进 10s以后1s步进
放电次数 1～99次/连续
Automatic output voltage rampingAvailable
尺寸（W）340×(H)×199×（D）300mm（不含突起部分）
尺寸约6kg

简易型探针台 <18-00075A>

项目功能/性能
尺寸/重量（探针台主机）(W)200×(H)330×(D)290mm/约1.5kg
尺寸/重量（简易放电板） (W)100×(H)27×(D)180mm（不含突起部）/约200g
钳口尺寸110mm
其他POM造V型部件1个 标准附件

半自动精密型探针台 <18-00076A>

由于半自动精密型探针台的*小分辨率为0.01mm，所以可以简单地对毫米间距和英寸间距等极小间距的半导体进行试验

项目功能/性能
尺寸/重量(W)250×(H)400×(D)300mm/约7kg
可对应IC*大尺寸：40mm角 *小导线间距：0.4mm
X轴手动 移动量：20mm ×燕尾槽、进给螺杆
Y轴电动（*大速度：13mm/s）移动量：40mm（Y分辨率：0.01mm）*步进马达&滚珠螺杆
θ轴手动 移动量：360°
Z axis手动 移动量：20mm *内置弹簧下压式
回原点手动

 
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半导体器件静电放电模拟试验器 ESS-6002/6008 日本Noiseken